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场效应管简单总结
阅读量:361 次
发布时间:2019-03-04

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场效应管(FET)的原理与应用

场效应管(Field-Effect Transistor,FET)是一种利用电场效应控制输出电流的半导体器件。与传统的双极型晶体管不同,FET仅依赖半导体中的多数载流子导电,又称为单极型晶体管。由于其体积小、重量轻、耐用性强等优点,FET自20世纪60年代起广泛应用于电子电路。

结型场效应管

结型场效应管的结构特点是采用P型和N型半导体材料制成的两个高掺杂区域,在同一块N型半导体上连接。其中,P区与N区交界形成耗尽层,而漏极与源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。以下是其工作原理:

  • 无输入电压时:耗尽层非常窄,导电沟道宽,电流通过较大。
  • 加正向电压时:耗尽层变宽,导电沟道变窄,电流通过减小。
  • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

    绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)在绝缘层中添加金属或其他材料,用于控制导电沟道宽度。其结构和工作原理如下:

  • 增强型场效应管:栅极完全绝缘,通过加正向电压形成导电沟道。
  • 耗尽型场效应管:即使在无电压输入时,漏-源间也存在微弱的反型导电沟道。适用于低功耗电路。
  • 特性曲线与参数

    场效应管的特性曲线主要包括转移特性曲线和输出特性曲线。转移特性曲线反映了电流随输入电压的变化趋势,而输出特性曲线则展示了电流与输出电压的关系。

    输入特性曲线

    • 转移特性曲线:描述了电流随输入电压的变化,通常呈现S形。
    • 输出特性曲线:展示了电流随输出电压的变化,具备线性或非线性特征。

    这些特性曲线能够帮助设计者优化电路性能,选择适合的器件参数。

    转载地址:http://kuyg.baihongyu.com/

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